레이저 가공 장치, 레이저 가공 방법, 레이저 가공 프로그램, 기록 매체, 반도체 칩 제조 방법, 및 반도체 칩

X방향에 있어서, 등속도 구간 SC의 길이(등속도 거리 Lsc)는 분할 예정 라인 S의 길이에 따라 설정되고, 등속도 구간 SC의 길이(등속도 거리 Lsc)에 따라 조사 위치 주사에 있어서의 가공 속도 Vxd가 조정되어 있다(속도 조정 처리, 스텝 S1202). 따라서, 가속 기간 Ta, 등속도 기간 Tsc 및 감속 기간 Td의 합계 기간(주사 시간 t)을 억제할 수 있다. 이렇게 해서, 반도체 기판 W의 분할 예정 라인 S를 따라 레이저 광 B를 이동시킴으로써 분할 예정 라인 S를 가공하는 레이저 가공 기술에 있어서, 분할 예정 라인 S의 가공을 효율적으로 실행하는 것이 가능하게 되어 있다. In the X direction, the length of a constant-velocity section SC (constant-velocity distance Lsc) is set in accordance with the length of a line S to be divided, and a processing speed Vxd in irradiation position scanning is adjusted in accordance with the length of the constant-velocity section SC (constant-velocity distance Lsc) (speed adjustment process, step S1202). Therefore, the total period (scanning time t) of an acceleration period Ta, a constant-velocity period Tsc, and a deceleration period Td can be reduced. Thus, in the laser processing technology for processing the line S to be divided by moving laser beams B along the line S to be divided of a semiconductor substrate W, it is possible to efficiently process the line S to be divided.