TEOS METHOD AND APPARATUS TO MINIMIZE SEAM EFFECT DURING TEOS OXIDE FILM DEPOSITION

반도체 기판 플라즈마 프로세싱 장치 내의 반도체 기판 상에서 수행된 트렌치 충진 프로세스 동안 증착된 TEOS 옥사이드 막의 심 효과를 최소화하는 방법은 반도체 기판 플라즈마 프로세싱 장치의 진공 챔버 내의 페데스탈 상에 반도체 기판을 지지하는 단계를 포함한다. TEOS, 산화제, 및 아르곤을 포함하는 프로세스 가스는 샤워헤드 어셈블리의 대면 플레이트를 통해 진공 챔버의 프로세싱 구역 내로 흐른다. RF 에너지는 프로세스 가스를 플라즈마로 에너자이징하고 (energize) TEOS 옥사이드 막은 반도체 기판의 적어도 하나의 트렌치를 충진하도록 반도체 기판 상에 증착된다. 아르곤은 반도체 기판의 중심을 향하는 TEOS 옥사이드 막의 증착 레이트가 증가되고 적어도 하나의 트렌치 내의 증착된 TEOS 옥사이드 막의 심 효과가 감소되도록 플라즈마의 전자 밀도를 증가시키는데 충분한 양으로 공급된다. A method of minimizing a seam effect of a deposited TEOS oxide film during a trench filling process performed on a semiconductor substrate in a semiconductor substrate plasma processing apparatus comprises supporting a semiconductor substrate on a pedestal in a vacuum chamber thereof. Process gas including TEOS, an oxidant, and argon is flowed through a face plate of a showerhead assembly into a processing region of the vacuum chamber. RF energy energizes the process gas into a plasma wherein TEOS oxide film is deposited on the semiconductor substrate so as to fill at least one trench thereof. The argon is supplied in an amount sufficient to increase the electron density of the plasma such that the deposition rate of the TEOS oxide film towards the center of the semiconductor substrate is increased and the seam effect of the deposited TEOS oxide film in the at least one trench is reduced.