SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

본 발명의 따른 반도체 메모리 장치 비트 라인; 상기 비트 라인 상에서 서로 이격되는 제1 및 제2 워드 라인; 상기 제1 및 제2 워드 라인 사이의 백 게이트 전극; 상기 제1 워드 라인 및 상기 백 게이트 전극 사이에 배치되고, 서로 이격되는 제1 활성 패턴들; 상기 제2 워드 라인 및 상기 백 게이트 전극 사이에 배치되고, 서로 이격되는 제2 활성 패턴들; 상기 제1 활성 패턴들 및 상기 제2 활성 패턴들에 각각 접속되는 콘택 패턴들; 상기 백 게이트 전극 및 상기 비트 라인 사이에 배치되는 백 게이트 하부 절연 패턴; 및 상...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: JEONG MOONYOUNG, KIM ILGWEON, HONG YOONGI, LEE SANGHO
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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