SELF-FORMING BARRIER PROCESS

기판 상에서 증착 프로세스를 수행하는 단계로서, 증착 프로세스는 기판 상의 피처 내에 구리 층을 증착하도록 구성되고, 구리 층은 대략 30 ％ 미만의 원자％로 아연으로 도핑되는, 증착 프로세스를 수행하는 단계; 구리 층 증착 후, 기판을 어닐링하는 단계로서, 어닐링은 구리 층과 기판의 옥사이드 층의 계면으로 아연의 마이그레이션을 유발하도록 구성되고, 아연의 마이그레이션은 계면에 구리 층의 전자마이그레이션 (electromigration) 를 억제하는 접착 배리어를 생성하는, 어닐링 단계를 포함하는, 방법이 제공된다. A method is provided, including the following operations: performing a deposition process on a substrate, the deposition process configured to deposit a ruthenium layer in a feature on the substrate, the ruthenium layer being doped with zinc at an atomic percentage less than approximately 30 percent; after depositing the ruthenium layer, annealing the substrate, wherein the annealing is configured to cause migration of the zinc to an interface of the ruthenium layer and an oxide layer of the substrate, the migration of the zinc producing an adhesive barrier at the interface that inhibits electromigration of the ruthenium layer.