Atomic layer depositing apparatus

Atomic layer depositing apparatus

본 발명의 개시된 실시예에 따른 원자층 증착 장치는, 외형을 형성하는 몸체부, 상기 몸체부 내에 형성되며, 기판이 이동되는 기판 이동 공간, 상기 몸체부의 내부에 배치되며, 상기 기판의 일면 및 이면에 동시에 원자층을 증착시키기 위한 가스공급 어셈블리, 및 상기 가스공급 어셈블리의 온도를 균일하게 유지하는 히팅 유닛을 포함한다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	CHOI HAG YOUNG, JANG SUNG HWAN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명의 개시된 실시예에 따른 원자층 증착 장치는, 외형을 형성하는 몸체부, 상기 몸체부 내에 형성되며, 기판이 이동되는 기판 이동 공간, 상기 몸체부의 내부에 배치되며, 상기 기판의 일면 및 이면에 동시에 원자층을 증착시키기 위한 가스공급 어셈블리, 및 상기 가스공급 어셈블리의 온도를 균일하게 유지하는 히팅 유닛을 포함한다.