반도체 디바이스 제조를 위한 니켈 또는 코발트 합금에 의한 금속화 방법
집적 회로 또는 저장 메모리와 같은 3차원 반도체 디바이스의 제조를 위한 반도체의 금속화 방법. 금속화 프로세스는 팔라듐과 같은 귀금속으로 광물 산화물 기판의 표면을 활성화하는 단계, 이어서 무전해 증착에 의해 붕소, 및 인과 텅스텐 중 적어도 하나를 함유하는 니켈 또는 코발트 합금을 증착하는 단계를 포함한다. A method of metallizing a semiconductor for the manufacture of three-dimensional semiconductor devices such as integrated cir...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 집적 회로 또는 저장 메모리와 같은 3차원 반도체 디바이스의 제조를 위한 반도체의 금속화 방법. 금속화 프로세스는 팔라듐과 같은 귀금속으로 광물 산화물 기판의 표면을 활성화하는 단계, 이어서 무전해 증착에 의해 붕소, 및 인과 텅스텐 중 적어도 하나를 함유하는 니켈 또는 코발트 합금을 증착하는 단계를 포함한다.
A method of metallizing a semiconductor for the manufacture of three-dimensional semiconductor devices such as integrated circuits or storage memories. The metallization process includes a step of activating the surface, of a mineral oxide substrate with a noble metal, such as palladium, followed by a step of depositing a nickel or cobalt alloy containing boron and at least one of phosphorus and tungsten by electroless deposition. |
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