Semiconductor Memory Device
반도체 메모리 장치는, 기판 상에서 소자분리 패턴에 의해 둘러싸인 활성 패턴; 상기 활성 패턴의 중앙부 상에서 상기 기판의 하면과 평행하는 제 1 방향을 따라 연장되는 비트라인; 및 상기 비트라인과 상기 활성 패턴 사이에서 금속 물질을 포함하는 비트라인 컨택을 포함하되, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향에 대하여, 상기 비트라인 컨택의 제 1 레벨에서의 폭은 상기 비트라인 컨택의 하면의 폭보다 크고, 상기 제 1 레벨은 상기 소자분리 패턴의 상면보다 낮은 레벨에서 정의된다. A semiconductor memory devic...
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| Hauptverfasser: | , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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