BOTTOM SURFACE EMITTING VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER
본 개시는 리소그래피 정의된 애퍼처를 갖는 하부 표면 방출 수직 캐비티 표면 방출 레이저(BSE VCSEL)를 설명한다. BSE VCSEL은 산화물이 없을 수 있다. 2개의 접촉부가 기판 위에 위치된다. 애퍼처 및 하나 이상의 활성 영역이 2개의 DBR 사이에 위치된다. 제1 접촉부는 기판, 및 애퍼처 아래에 있는 제1 DBR에 커플링된다. 제2 접촉부는 애퍼처 위에 있는 제2 DBR에 커플링된다. This disclosure describes a bottom surface emitting vertical cavity surface...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| Zusammenfassung: | 본 개시는 리소그래피 정의된 애퍼처를 갖는 하부 표면 방출 수직 캐비티 표면 방출 레이저(BSE VCSEL)를 설명한다. BSE VCSEL은 산화물이 없을 수 있다. 2개의 접촉부가 기판 위에 위치된다. 애퍼처 및 하나 이상의 활성 영역이 2개의 DBR 사이에 위치된다. 제1 접촉부는 기판, 및 애퍼처 아래에 있는 제1 DBR에 커플링된다. 제2 접촉부는 애퍼처 위에 있는 제2 DBR에 커플링된다.
This disclosure describes a bottom surface emitting vertical cavity surface emitting laser (BSE VCSEL) with a lithographically defined aperture. The BSE VCSEL may be oxide-free. Two contacts are located above a substrate. An aperture and one or more active regions are located between two DBRs. A first contact is coupled to the substrate and the first DBR, which is below the aperture. A second contact is coupled to the second DBR, which is above the aperture. |
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