Light emitting device electronic apparatus and electronic device including the light emitting device
제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치되고, 발광층을 포함한 중간층; 을 포함하고, 상기 발광층이, 정공 수송성 물질인 제1화합물, 전자 수송성 물질인 제2화합물, 전이 금속-함유 화합물 및 지연 형광 화합물을 포함하고, 상기 제1화합물 및 제2화합물은 엑시플렉스(exciplex)를 형성하고, 상기 제1화합물, 상기 제2화합물, 또는 이의 임의의 조합은, 적어도 하나의 중수소로 치환되고, 중수소로 치환됨에 따라, 중수소로 치환되지 않은 경우에 비해, 상기 제1화합물 및 제2화합물의...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치되고, 발광층을 포함한 중간층; 을 포함하고, 상기 발광층이, 정공 수송성 물질인 제1화합물, 전자 수송성 물질인 제2화합물, 전이 금속-함유 화합물 및 지연 형광 화합물을 포함하고, 상기 제1화합물 및 제2화합물은 엑시플렉스(exciplex)를 형성하고, 상기 제1화합물, 상기 제2화합물, 또는 이의 임의의 조합은, 적어도 하나의 중수소로 치환되고, 중수소로 치환됨에 따라, 중수소로 치환되지 않은 경우에 비해, 상기 제1화합물 및 제2화합물의 혼합물은, 삼중항 전하 이동 상태-단일항 기저 상태 비발광 전이 속도 상수(triplet charge transfer state-singlet ground state non-radiative decay rate constant)의 절대값이 감소한, 발광 소자가 제공된다. |
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