THINNER COMPOSITION AND METHOD FOR PROCESSING SURFACE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

본 발명의 기술적 사상은, KrF 및 ArF용 포토레지스트 뿐만 아니라 EUV용 포토레지스트까지 범용적으로 사용할 수 있으며, RRC(reduced resist coating) 및 EBR(edge bead removal) 성능이 개선된 신너(thinner) 조성물과 배관 세정 능력이 우수한 신너 조성물 및 이를 이용한 기판 표면 처리 방법을 제공한다. 그 신너 조성물은, C2 ~ C4 알킬렌 글리콜 C1 ~ C4 알킬에테르 아세테이트; C2 ~ C3 알킬렌 글리콜 C1 ~ C4 알킬에테르; 및 사이클로릭 케톤(cycloic keto...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	YOO SEUNG RYUL, LEE HEE KYUNG, JUNG MI YEON, KWON TAE HUI, KANG YOOL, CHOI SAM JONG, KWEON OH HWAN, KIM MIN KI, SUH AH RAM, SHIN SUNG GUN, KIM DONG JUN, KIM JAE HYUN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	ANIMAL AND VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES AND WAXES APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CANDLES CHEMISTRY CINEMATOGRAPHY DETERGENT COMPOSITIONS DETERGENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY FATTY ACIDS THEREFROM HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR METALLURGY ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS RECOVERY OF GLYCEROL RESIN SOAPS SEMICONDUCTOR DEVICES SOAP OR SOAP-MAKING USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명의 기술적 사상은, KrF 및 ArF용 포토레지스트 뿐만 아니라 EUV용 포토레지스트까지 범용적으로 사용할 수 있으며, RRC(reduced resist coating) 및 EBR(edge bead removal) 성능이 개선된 신너(thinner) 조성물과 배관 세정 능력이 우수한 신너 조성물 및 이를 이용한 기판 표면 처리 방법을 제공한다. 그 신너 조성물은, C2 ~ C4 알킬렌 글리콜 C1 ~ C4 알킬에테르 아세테이트; C2 ~ C3 알킬렌 글리콜 C1 ~ C4 알킬에테르; 및 사이클로릭 케톤(cycloic ketone); 을 포함한다. Provided are a thinner composition, which may be generally used for an extreme ultraviolet (EUV) photoresist as well as KrF and ArF photoresists and exhibits improved performance in reduced resist coating (RRC) and edge bead removal (EBR), and which has an excellent pipe cleaning capability, and a method of treating a substrate surface by using the thinner composition. The thinner composition includes a C2-C4 alkylene glycol C1-C4 alkyl ether acetate, a C2-C3 alkylene glycol C1-C4 alkyl ether, and a cycloketone.