성막 방법 및 성막 장치

성막 방법은, 처리 용기 내에 마련된 기판 적재대 상에 기판을 적재하는 것과, 처리 용기 내를 배기해서 감압하는 것과, 감압된 처리 용기 내에 탄소 함유 가스를 포함하는 처리 가스를 공급하면서, 기판 적재대에, 플라스마 생성용의 고주파 전력을 인가해서 플라스마를 생성하여, 기판 상에 카본막을 성막하는 것과, 기판 적재대에, 플라스마 생성용의 고주파 전력을 인가함과 함께, 기판 적재대와 대향하는 대향 전극에 부의 직류 전압을 인가해서 플라스마 처리를 행하는 것을 갖는다. A film forming method according to the present invention comprises: a step in which a substrate is placed on a substrate stage that is provided within a process chamber; a step in which the pressure within the process chamber is reduced by exhausting the process chamber; a step in which a plasma is produced by applying a high-frequency power for plasma generation to the substrate stage, while supplying a process gas that contains a carbon-containing gas into the reduced-pressure process chamber, thereby forming a carbon film on the substrate; and a step in which a plasma processing is performed by applying a negative direct current voltage to a counter electrode that faces the substrate stage, while applying a high-frequency power for plasma generation to the substrate stage.