감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법
감도, LWR 성능, 발수성, 현상 결함 억제성이 우수한 레지스트막을 형성 가능하고, 보존 안정성이 양호한 감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법을 제공한다. 하기 식 (1)로 표시되는 구조 단위 (I)과, 상기 구조 단위 (I)과는 다른 구조 단위를 포함하는 중합체와, 하기 식 (α)로 표시되는 감방사선성 산 발생제와, 용제를 포함하는 감방사선성 수지 조성물. JPEGpct00051.jpg4359 (상기 식 (1) 중, RK1은, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. L1은, 탄소수 1 내지 5의 알칸디...
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A radiation-sensitive resin composition includes: a polymer comprising a structural unit (I) represented by a formula (1) and a structural unit different from the structural unit (I); a radiation-sensitive acid generator represented by a formula (α); and a solvent. RK1 is a hydrogen atom, a fluorine atom, or the like, L1 is an alkanediyl group, and Rf1 is a fluorinated hydrocarbon group. RW is a monovalent organic group having 3 to 40 carbon atoms that contains a cyclic structure, Rfa and Rfb are each independently a fluorine atom or the like, R11 and R12 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or the like, n1 is an integer of 1 to 4, n2 is an integer of 0 to 4, no carbonyl group is present between a sulfur atom of the sulfonic acid ion and the cyclic structure of RW, and Z+ is a monovalent onium cation. |
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A radiation-sensitive resin composition includes: a polymer comprising a structural unit (I) represented by a formula (1) and a structural unit different from the structural unit (I); a radiation-sensitive acid generator represented by a formula (α); and a solvent. RK1 is a hydrogen atom, a fluorine atom, or the like, L1 is an alkanediyl group, and Rf1 is a fluorinated hydrocarbon group. RW is a monovalent organic group having 3 to 40 carbon atoms that contains a cyclic structure, Rfa and Rfb are each independently a fluorine atom or the like, R11 and R12 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or the like, n1 is an integer of 1 to 4, n2 is an integer of 0 to 4, no carbonyl group is present between a sulfur atom of the sulfonic acid ion and the cyclic structure of RW, and Z+ is a monovalent onium cation.</description><language>kor</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; CHEMISTRY ; CINEMATOGRAPHY ; COMPOSITIONS BASED THEREON ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVINGCARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS ; MATERIALS THEREFOR ; METALLURGY ; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS ; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240927&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240141729A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240927&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240141729A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>FURUKAWA TAIICHI</creatorcontrib><creatorcontrib>FURUKAWA TSUYOSHI</creatorcontrib><creatorcontrib>EGAWA FUYUKI</creatorcontrib><creatorcontrib>INAMI HAJIME</creatorcontrib><creatorcontrib>NEMOTO RYUICHI</creatorcontrib><title>감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법</title><description>감도, LWR 성능, 발수성, 현상 결함 억제성이 우수한 레지스트막을 형성 가능하고, 보존 안정성이 양호한 감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법을 제공한다. 하기 식 (1)로 표시되는 구조 단위 (I)과, 상기 구조 단위 (I)과는 다른 구조 단위를 포함하는 중합체와, 하기 식 (α)로 표시되는 감방사선성 산 발생제와, 용제를 포함하는 감방사선성 수지 조성물. JPEGpct00051.jpg4359 (상기 식 (1) 중, RK1은, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. L1은, 탄소수 1 내지 5의 알칸디일기이다. Rf1은, 5 내지 7개의 불소 원자를 갖는 탄소수 2 내지 10의 불소화 탄화수소기이다.) JPEGpct00052.jpg2473 (상기 식 (α) 중, RW는, 환상 구조를 포함하는 탄소수 3 내지 40의 1가의 유기기이다. Rfa 및 Rfb는, 각각 독립적으로, 불소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 불소화 탄화수소기이다. R11 및 R12는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 내지 10의 탄화수소기 또는 탄소수 1 내지 10의 불소화 탄화수소기이다. n1은, 1 내지 4의 정수이다. n1이 2 이상의 경우, 복수의 Rfa 및 Rfb는 서로 동일하거나 또는 다르다. n2는, 0 내지 4의 정수이다. n2가 2 이상의 경우, 복수의 R11 및 R12는 서로 동일하거나 또는 다르다. 단, 술폰산 이온의 황 원자와 상기 RW의 환상 구조 사이에 카르보닐기가 개재하지 않는다. Z+는 1가의 오늄 양이온이다.)
A radiation-sensitive resin composition includes: a polymer comprising a structural unit (I) represented by a formula (1) and a structural unit different from the structural unit (I); a radiation-sensitive acid generator represented by a formula (α); and a solvent. RK1 is a hydrogen atom, a fluorine atom, or the like, L1 is an alkanediyl group, and Rf1 is a fluorinated hydrocarbon group. RW is a monovalent organic group having 3 to 40 carbon atoms that contains a cyclic structure, Rfa and Rfb are each independently a fluorine atom or the like, R11 and R12 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or the like, n1 is an integer of 1 to 4, n2 is an integer of 0 to 4, no carbonyl group is present between a sulfur atom of the sulfonic acid ion and the cyclic structure of RW, and Z+ is a monovalent onium cation.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>COMPOSITIONS BASED THEREON</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVINGCARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLB8tWHC6w0r3zStedOy4E3LRoU3HTPeLG9QeLNwA5D3es0ehdcb-hXe9qx427JF4e2MqSAlQPWvN03lYWBNS8wpTuWF0twMym6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXx3kFGBkYmBoYmhuZGlo7GxKkCAI5hP2Y</recordid><startdate>20240927</startdate><enddate>20240927</enddate><creator>FURUKAWA TAIICHI</creator><creator>FURUKAWA TSUYOSHI</creator><creator>EGAWA FUYUKI</creator><creator>INAMI HAJIME</creator><creator>NEMOTO RYUICHI</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240927</creationdate><title>감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법</title><author>FURUKAWA TAIICHI ; FURUKAWA TSUYOSHI ; EGAWA FUYUKI ; INAMI HAJIME ; NEMOTO RYUICHI</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20240141729A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2024</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>COMPOSITIONS BASED THEREON</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVINGCARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>FURUKAWA TAIICHI</creatorcontrib><creatorcontrib>FURUKAWA TSUYOSHI</creatorcontrib><creatorcontrib>EGAWA FUYUKI</creatorcontrib><creatorcontrib>INAMI HAJIME</creatorcontrib><creatorcontrib>NEMOTO RYUICHI</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>FURUKAWA TAIICHI</au><au>FURUKAWA TSUYOSHI</au><au>EGAWA FUYUKI</au><au>INAMI HAJIME</au><au>NEMOTO RYUICHI</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법</title><date>2024-09-27</date><risdate>2024</risdate><abstract>감도, LWR 성능, 발수성, 현상 결함 억제성이 우수한 레지스트막을 형성 가능하고, 보존 안정성이 양호한 감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법을 제공한다. 하기 식 (1)로 표시되는 구조 단위 (I)과, 상기 구조 단위 (I)과는 다른 구조 단위를 포함하는 중합체와, 하기 식 (α)로 표시되는 감방사선성 산 발생제와, 용제를 포함하는 감방사선성 수지 조성물. JPEGpct00051.jpg4359 (상기 식 (1) 중, RK1은, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. L1은, 탄소수 1 내지 5의 알칸디일기이다. Rf1은, 5 내지 7개의 불소 원자를 갖는 탄소수 2 내지 10의 불소화 탄화수소기이다.) JPEGpct00052.jpg2473 (상기 식 (α) 중, RW는, 환상 구조를 포함하는 탄소수 3 내지 40의 1가의 유기기이다. Rfa 및 Rfb는, 각각 독립적으로, 불소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 불소화 탄화수소기이다. R11 및 R12는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 내지 10의 탄화수소기 또는 탄소수 1 내지 10의 불소화 탄화수소기이다. n1은, 1 내지 4의 정수이다. n1이 2 이상의 경우, 복수의 Rfa 및 Rfb는 서로 동일하거나 또는 다르다. n2는, 0 내지 4의 정수이다. n2가 2 이상의 경우, 복수의 R11 및 R12는 서로 동일하거나 또는 다르다. 단, 술폰산 이온의 황 원자와 상기 RW의 환상 구조 사이에 카르보닐기가 개재하지 않는다. Z+는 1가의 오늄 양이온이다.)
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