감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법
감도, LWR 성능, 발수성, 현상 결함 억제성이 우수한 레지스트막을 형성 가능하고, 보존 안정성이 양호한 감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법을 제공한다. 하기 식 (1)로 표시되는 구조 단위 (I)과, 상기 구조 단위 (I)과는 다른 구조 단위를 포함하는 중합체와, 하기 식 (α)로 표시되는 감방사선성 산 발생제와, 용제를 포함하는 감방사선성 수지 조성물. JPEGpct00051.jpg4359 (상기 식 (1) 중, RK1은, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. L1은, 탄소수 1 내지 5의 알칸디...
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Zusammenfassung: | 감도, LWR 성능, 발수성, 현상 결함 억제성이 우수한 레지스트막을 형성 가능하고, 보존 안정성이 양호한 감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법을 제공한다. 하기 식 (1)로 표시되는 구조 단위 (I)과, 상기 구조 단위 (I)과는 다른 구조 단위를 포함하는 중합체와, 하기 식 (α)로 표시되는 감방사선성 산 발생제와, 용제를 포함하는 감방사선성 수지 조성물. JPEGpct00051.jpg4359 (상기 식 (1) 중, RK1은, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. L1은, 탄소수 1 내지 5의 알칸디일기이다. Rf1은, 5 내지 7개의 불소 원자를 갖는 탄소수 2 내지 10의 불소화 탄화수소기이다.) JPEGpct00052.jpg2473 (상기 식 (α) 중, RW는, 환상 구조를 포함하는 탄소수 3 내지 40의 1가의 유기기이다. Rfa 및 Rfb는, 각각 독립적으로, 불소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 불소화 탄화수소기이다. R11 및 R12는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 내지 10의 탄화수소기 또는 탄소수 1 내지 10의 불소화 탄화수소기이다. n1은, 1 내지 4의 정수이다. n1이 2 이상의 경우, 복수의 Rfa 및 Rfb는 서로 동일하거나 또는 다르다. n2는, 0 내지 4의 정수이다. n2가 2 이상의 경우, 복수의 R11 및 R12는 서로 동일하거나 또는 다르다. 단, 술폰산 이온의 황 원자와 상기 RW의 환상 구조 사이에 카르보닐기가 개재하지 않는다. Z+는 1가의 오늄 양이온이다.)
A radiation-sensitive resin composition includes: a polymer comprising a structural unit (I) represented by a formula (1) and a structural unit different from the structural unit (I); a radiation-sensitive acid generator represented by a formula (α); and a solvent. RK1 is a hydrogen atom, a fluorine atom, or the like, L1 is an alkanediyl group, and Rf1 is a fluorinated hydrocarbon group. RW is a monovalent organic group having 3 to 40 carbon atoms that contains a cyclic structure, Rfa and Rfb are each independently a fluorine atom or the like, R11 and R12 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or the like, n1 is an integer of 1 to 4, n2 is an integer of 0 to 4, no carbonyl group is present between a sulfur atom of the sulfonic acid ion and the cyclic structure of RW, and Z+ is a monovalent onium cation. |
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