ALD Apparatus and Methods of Fabricating Semiconductor Devices Using the Same

본 개시의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법은 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지 상에 안착시키고, 상기 웨이퍼의 제1 영역을 UV 조사(irradiation) 영역과 정렬시키고, 및 상기 웨이퍼의 상기 제1 영역에 대하여 제1 단위 표면 처리 공정을 수행하는 것을 포함하고, 상기 제1 단위 표면 처리 공정은: UV를 조사하는 공정들과 상기 웨이퍼 스테이지를 상하 이동시키는 Z-이동 동작들을 교대로 반복적으로 수행하는 것을 포함할 수 있다. An atomic layer deposition (ALD) apparatus includes a light source disposed at an upper portion of a section, a wafer supporting part disposed at a lower portion of the section, and a lens pocket between the light source and the wafer supporting part, and including a frame part and a transparent panel, the lens pocket including a pocket space having sides defined by the frame part and a bottom defined by the transparent panel.