Pellicle for EUVextreme ultraviolet Lithography and Method for Manufacturing the Same

본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클에 관한 것이다. 본 발명은, COP(Crystal Originated Particle)가 형성된 표면을 구비하는 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 실리콘 기판의 상기 COP가 형성된 표면 위에 평탄 층을 형성하여, 상기 COP에 의한 표면 결함의 크기를 줄이는 단계와, 상기 평탄 층 위에 펠리클 막 층을 형성하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	PARK JIN SU, SEO KYOUNG WON, PARK SEONG HWAN, YUN WOO HYUN, YU LAN, YANG SEONG JU, KIM KYOUNG SOO, LEE DONG HOON, KANG HONG GU, KIM CHEONG, LEE SO YOON, CHOI JAE HYUCK, CHO SANG JIN, KIM YONG SU, HONG SEONG GYU
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클에 관한 것이다. 본 발명은, COP(Crystal Originated Particle)가 형성된 표면을 구비하는 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 실리콘 기판의 상기 COP가 형성된 표면 위에 평탄 층을 형성하여, 상기 COP에 의한 표면 결함의 크기를 줄이는 단계와, 상기 평탄 층 위에 펠리클 막 층을 형성하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.