3 THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

본 발명에 따른 3차원 반도체 메모리 장치는 소스 구조물; 상기 소스 구조물 상에 배치되고, 서로 교대로 적층되는 절연 패턴 및 도전 패턴을 포함하는 게이트 적층 구조물; 관통 플러그; 상기 관통 플러그와 접하는 패드; 및 상기 패드 아래의 패드 절연 패턴을 포함하고, 상기 도전 패턴은 상기 관통 플러그와 접하는 선택 도전 라인을 포함하고, 상기 관통 플러그는 연장 플러그부 및 평행 플러그부를 포함하고, 상기 패드의 높이는 상기 도전 패턴의 높이보다 작은, 3차원 반도체 메모리 장치. A 3D semiconductor memory device includes a source structure, a gate stack structure disposed on the source structure and comprising insulating patterns and conductive patterns which are alternately stacked, a through-plug, a pad in contact with the through-plug, and a pad insulating pattern under the pad. The conductive patterns include a selection conductive line in contact with the through-plug. The through-plug includes an extension plug portion and a parallel plug portion. A height of the pad is less than a height of the conductive pattern.