SEMICONDUCTOR DIODE STRUCTURE

반도체 다이오드 구조물은, 실리콘 잔존 층, 상기 실리콘 잔존 층 상에 배치된 제1 p형 도핑 영역 및 상기 실리콘 잔존 층 상에 배치된 제1 n형 도핑 영역을 포함한다. 제1 채널 영역이 상기 실리콘 잔존 층 상에 그리고 상기 제1 p형 도핑 영역과 상기 제1 n형 도핑 영역 사이에 배치되며, 상기 제1 채널 영역, 상기 제1 p형 도핑 영역 및 상기 제1 n형 도핑 영역은 제1 방향을 따라 배치된다. A diode structure includes a silicon remaining layer, a first p-type doping region disposed on the silicon remaining layer and a first n-type doping region disposed on the silicon remaining layer. A first channel region is disposed on the silicon remaining layer and between the p-type doping region and the n-type doping region, wherein the first channel region, the first p-type doping region, and the first n-type doping region are disposed along a first direction.