THROUGH VIA STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

관통 비아 구조물들 및 그 제작 방법들이 본 개시에서 개시된다. 예시적인 방법이 절연 층을 통해 그리고 기판 속으로 연장되는 트렌치를 형성하는 단계를 포함한다. 기판은 제1 측(예컨대, 앞면)과 제2 측(예컨대, 뒷면)을 갖는다. 절연 층은 기판의 제1 측 위에 배치된다. 그 방법은 트렌치를 유전체 재료로 채우는 단계와 기판의 제2 측에 대해 유전체 재료를 노출시키는 박형화 공정을 수행하는 단계를 포함한다. 박형화 공정과 트렌치로부터 유전체 재료를 제거한 후, 그 방법은 기판을 통해 제1 측에서부터 제2 측까지 연장되는 트렌치에 전기 전도성 구조물(예컨대, 전기 전도성 플러그를 감싸는 장벽 라이너)을 형성하는 단계를 포함한다. 전기 전도성 구조물의 상단을 형성하는 장벽 라이너의 일 부분이 절연 층에 배치된다. Through via structures and methods of fabrication thereof are disclosed herein. An exemplary method includes forming a trench that extends through an insulation layer and into a substrate. The substrate has a first side (e.g., frontside) and a second side (e.g., backside). The insulation layer is disposed over the first side of the substrate. The method includes filling the trench with a dielectric material and performing a thinning process on the second side of the substrate that exposes the dielectric material. After the thinning process and removing the dielectric material from the trench, the method includes forming an electrically conductive structure (e.g., a barrier liner that wraps an electrically conductive plug) in the trench that extends through the substrate from the first side to the second side. A portion of the barrier liner that forms a top of the electrically conductive structure is disposed in the insulation layer.