Methods of fabricating semiconductor devices
본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 반도체 소자 제조방법은 기판 상에 상기 기판과 평행한 제1 방향으로 연장되는 비트라인을 형성하는 것, 상기 비트라인의 측면을 덮는 제1 절연층을 형성하는 것, 제2 절연층을 상기 제1 절연층 상에 형성하는 것, 금속 패턴을 상기 비트라인 상에 선택적으로 형성하는 것, 상기 금속 패턴 상에 반도체 패턴을 형성하는 것, 상기 반도체 패턴은 상기 제1 방향으로 연장되는 수평부, 및 상기 비트라인의 상면과 수직한 제2 방향으로 연장되는 수직부를 포함하고, 및 상기 수평부 상에 워드라인을 형성...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| Zusammenfassung: | 본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 반도체 소자 제조방법은 기판 상에 상기 기판과 평행한 제1 방향으로 연장되는 비트라인을 형성하는 것, 상기 비트라인의 측면을 덮는 제1 절연층을 형성하는 것, 제2 절연층을 상기 제1 절연층 상에 형성하는 것, 금속 패턴을 상기 비트라인 상에 선택적으로 형성하는 것, 상기 금속 패턴 상에 반도체 패턴을 형성하는 것, 상기 반도체 패턴은 상기 제1 방향으로 연장되는 수평부, 및 상기 비트라인의 상면과 수직한 제2 방향으로 연장되는 수직부를 포함하고, 및 상기 수평부 상에 워드라인을 형성하는 것을 포함한다. |
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