SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 실시예의 반도체 장치의 제조 방법은, AC 파워를 인가하여 탄소를 함유하는 하부 전극층을 형성하는 단계; 상기 하부 전극층 상에 메모리층을 형성하는 단계; 및 상기 메모리층 상에 AC 파워를 인가하지 않은 상태에서 탄소를 함유하는 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. A method for fabricating a semiconductor device includes forming a lower electrode layer containing carbon by applying AC power; forming a memory layer over the lower electrode layer; and forming an upper electrode layer containing carbon over the memory layer without applying AC power.