3 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR TEMPLATE HAVING GROUP 3 METAL POLAR SURFACE

본 발명은 그룹3족 금속 극성 표면을 갖는 반도체 템플릿의 제조 방법에 관한 것으로, 성장기판 위에 금속 극성 표면을 가진 제1 반도체층을 성장시키는 제1 성장단계; 상기 제1 반도체층 위에 극성전환층을 성막시키는 성막단계; 상기 극성전환층 위에 질소 극성 표면을 가진 제2 반도체층을 성장시키는 제2 성장단계; 상기 제2 반도체층과 지지기판을 접합시키는 접합단계; 상기 성장기판을 분리시키는 분리단계; 및 상기 제1 반도체층 및 상기 극성전환층을 제거하여 상기 제2 반도체층의 금속 극성 표면을 노출시키는 제거단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 고비용의 오프 앵글 사파이어 기판을 사용하지 않고도 norminal on-axis c-plane 사파이어 기판 또는 Si 기판 위에 서로 다른 극성을 가진 AlxGa1-xN 물질을 선택적으로 성장시킴으로써, 1회 기판 접합 공정만으로도 결정성이 뛰어난 고품질의 그룹3족 금속 극성 표면을 갖게 되는 반도체 템플릿을 제조할 수 있다. The present invention pertains to a method for manufacturing a semiconductor template, in which a high-quality, highly crystalline Group III metal polar surface is obtained by performing a substrate bonding process only once by selectively growing AlxGa1-xN materials having different polarities on a nominal on-axis c-plane sapphire substrate or Si(111) initial growth substrate without using an expensive off-angle sapphire substrate.