Method for forming film

과제 양산성이 우수한 성막 방법을 제공한다. 해결 수단 동일 또는 다른 수용액 중에, 2 이상의 다른 배위자를 갖는 금속 착물 및 동일한 배위자와 치환기를 갖는 금속 착물 중 적어도 일방의 금속 착물, 그리고 갈륨 화합물을 함유하는 수용액을 사용하는 성막 방법으로서, 상기 2 이상의 다른 배위자를 갖는 금속 착물이 질소 원자를 갖고, 상기 동일한 배위자와 치환기를 갖는 금속 착물이 할로겐 원자를 갖는 성막 방법. The present disclosure provides a film formation method having an e...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KATO YUJI, SHIHO HIROSHI, TSUKAMOTO NAOYUKI, SHIMIZU MAKOTO, ANDO HIROYUKI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAININGELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN,SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INORGANIC CHEMISTRY METALLURGY ORGANIC CHEMISTRY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	과제 양산성이 우수한 성막 방법을 제공한다. 해결 수단 동일 또는 다른 수용액 중에, 2 이상의 다른 배위자를 갖는 금속 착물 및 동일한 배위자와 치환기를 갖는 금속 착물 중 적어도 일방의 금속 착물, 그리고 갈륨 화합물을 함유하는 수용액을 사용하는 성막 방법으로서, 상기 2 이상의 다른 배위자를 갖는 금속 착물이 질소 원자를 갖고, 상기 동일한 배위자와 치환기를 갖는 금속 착물이 할로겐 원자를 갖는 성막 방법. The present disclosure provides a film formation method having an excellent mass productivity.The present disclosure provides a film formation method using one aqueous solution or different aqueous solutions containing at least one of a metal complex having two or more different ligands and a metal complex having same ligands and substituents as well as a gallium compound, in which the metal complex having the two or more different ligands has nitrogen atom, and the metal complex having the same ligands and substituents has a halogen atom.