High-resolution mask inspection device and method using coherence control of extreme ultraviolet light source and pinhole device for mask inspection

마스크 검사 장치가 제공된다. 상기 마스크 검사 장치는, 제1 EUV 광을 조사하는 광원, 상기 제1 EUV 광을 투과시켜 상기 제1 EUV 광의 결맞음성(coherence)을 제어함으로써, 상기 제1 EUV 광을 제2 EUV 광으로 변환하는 핀홀 모듈, 상기 핀홀 모듈로부터 변환된 상기 제2 EUV 광의 경로를 제어하여, 상기 제2 EUV 광을 마스크로 조사하는 미러 모듈, 상기 마스크로부터 반사되고 회절된 상기 제2 EUV 광을 포집하는 FZP(Fresnel zoneplate), 및 상기 FZP에 의해 포집된 상기 제2 EUV...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	MOON SEUNG CHAN, CHOI JIN HYUK, AHN JINHO, LEE DONGGI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MATERIALS THEREFOR MEASURING ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	마스크 검사 장치가 제공된다. 상기 마스크 검사 장치는, 제1 EUV 광을 조사하는 광원, 상기 제1 EUV 광을 투과시켜 상기 제1 EUV 광의 결맞음성(coherence)을 제어함으로써, 상기 제1 EUV 광을 제2 EUV 광으로 변환하는 핀홀 모듈, 상기 핀홀 모듈로부터 변환된 상기 제2 EUV 광의 경로를 제어하여, 상기 제2 EUV 광을 마스크로 조사하는 미러 모듈, 상기 마스크로부터 반사되고 회절된 상기 제2 EUV 광을 포집하는 FZP(Fresnel zoneplate), 및 상기 FZP에 의해 포집된 상기 제2 EUV 광을 집속하여 상기 마스크에 대한 이미지를 결상하는 검출기를 포함할 수 있다.