에지-단독 웨이퍼 접촉에 의한 후면 웨이퍼 프로세싱을 위한 장치

웨이퍼 후면 프로세싱 능력을 갖는 반도체 프로세싱 도구가 개시된다. 이러한 도구는, 아래 측/평면 접촉과는 대조적으로, 프로세싱되는 웨이퍼와 단지 에지 접촉을 통해 접촉하도록 구성될 수 있다. 이러한 도구는 또한 이러한 웨이퍼가 그의 특정 웨이퍼 프로세싱 스테이션에 대해 정밀하게 중심맞춤되는 것을 허용할 수 있는 웨이퍼-중심맞춤 피처를 포함할 수 있다. Semiconductor processing tools with wafer back-side processing capabilities are disclosed. Such tools...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	DIXON ERIC THOMAS, LINEBARGER JR. NICK RAY, JANICKI MICHAEL JOHN, ARCURI CONOR CHARLES, BOATRIGHT DANIEL, BLANK RICHARD M, YIN XIN, SHAIKH FAYAZ A, VINTILA ADRIANA
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	웨이퍼 후면 프로세싱 능력을 갖는 반도체 프로세싱 도구가 개시된다. 이러한 도구는, 아래 측/평면 접촉과는 대조적으로, 프로세싱되는 웨이퍼와 단지 에지 접촉을 통해 접촉하도록 구성될 수 있다. 이러한 도구는 또한 이러한 웨이퍼가 그의 특정 웨이퍼 프로세싱 스테이션에 대해 정밀하게 중심맞춤되는 것을 허용할 수 있는 웨이퍼-중심맞춤 피처를 포함할 수 있다. Semiconductor processing tools with wafer back-side processing capabilities are disclosed. Such tools may be configured to only contact wafers being processed through edge contact, as opposed to underside/planar contact. Such tools may also include wafer-centering features that may allow such wafers to be precisely centered with regard to a particular wafer processing station thereof.