분석 방법, 분석 장치, 약액의 관리 방법 및 레지스트 조성물의 관리 방법

미소한 결함의 분석이 가능하고, 측정 시간의 단축이 가능한 분석 방법, 분석 장치, 약액의 관리 방법 및 레지스트 조성물의 관리 방법을 제공한다. 반도체 기판 상 또는 내부에 위치하는 결함의 분석 방법으로서, 분석하는 금속종의 수를 설정하는 공정 1과, 반도체 기판의 측정 대상 영역을 영역 분할하는 공정 2와, 영역 분할된 각 영역에, 상이한 금속종을 할당하는 공정 3과, 각 영역에 레이저광을 조사하여, 조사로부터 얻어지는 분석 시료를 캐리어 가스로 회수하여, 유도 결합 플라즈마 질량 분석하는 공정 4를 갖는다. Provided is an analysis method capable of analysis of minute defects and reduction of measuring time, an analysis device, a management method for a chemical solution, and a management method for a resist composition. This analysis method for defects positioned on or in the interior of a semiconductor substrate comprises: a first step of setting a number of metal species to be analyzed; a second step of dividing an area to be measured of the semiconductor substrate into areas; a third step of assigning a different metal species to each of the divided areas; and a fourth step of irradiating each area with a laser, recovering an analysis sample resulting from the irradiation using a carrier gas, and performing inductively coupled plasma mass spectrometry.