semiconductor cell architecture including backside power rail

반도체 셀 아키텍처를 제공하되, 상기 반도체 셀 아키텍처는 다수의 셀들, 다수의 후면 파워 레일들, 및 다수의 금속 라인들을 포함하고, 상기 후면 파워 레일들은 셀 길이 방향으로 연장되고, 적어도 하나의 후면 파워 레일은, 평면적 관점에서 적어도 하나의 셀의 하부 경계 및 상부 경계와 수직으로 중첩되지 않고, 상기 적어도 하나의 셀의 내부 영역에 중첩된다. Provided is a semiconductor cell architecture which includes a plurality of cells, a plurality of b...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PARK PANJAE, KIM JINTAE
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator PARK PANJAE
KIM JINTAE
description 반도체 셀 아키텍처를 제공하되, 상기 반도체 셀 아키텍처는 다수의 셀들, 다수의 후면 파워 레일들, 및 다수의 금속 라인들을 포함하고, 상기 후면 파워 레일들은 셀 길이 방향으로 연장되고, 적어도 하나의 후면 파워 레일은, 평면적 관점에서 적어도 하나의 셀의 하부 경계 및 상부 경계와 수직으로 중첩되지 않고, 상기 적어도 하나의 셀의 내부 영역에 중첩된다. Provided is a semiconductor cell architecture which includes a plurality of cells, a plurality of backside power rails, and a plurality of metal lines, wherein the backside power rails are extended in a cell-length direction, and at least one backside power rail vertically overlaps an inside area of at least one cell without vertically overlapping a lower boundary or an upper boundary of the at least one cell in a plan view.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_KR20240136831A</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>KR20240136831A</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_KR20240136831A3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZLAtTs3NTM7PSylNLskvUkhOzclRSCxKzsgsSU0uKS1KVcjMS84pTcnMS1dISkzOLs5MSVUoyC9PLVIoSszM4WFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8d5BRgZGJgaGxmYWxoaOxsSpAgA3ejGm</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>semiconductor cell architecture including backside power rail</title><source>esp@cenet</source><creator>PARK PANJAE ; KIM JINTAE</creator><creatorcontrib>PARK PANJAE ; KIM JINTAE</creatorcontrib><description>반도체 셀 아키텍처를 제공하되, 상기 반도체 셀 아키텍처는 다수의 셀들, 다수의 후면 파워 레일들, 및 다수의 금속 라인들을 포함하고, 상기 후면 파워 레일들은 셀 길이 방향으로 연장되고, 적어도 하나의 후면 파워 레일은, 평면적 관점에서 적어도 하나의 셀의 하부 경계 및 상부 경계와 수직으로 중첩되지 않고, 상기 적어도 하나의 셀의 내부 영역에 중첩된다. Provided is a semiconductor cell architecture which includes a plurality of cells, a plurality of backside power rails, and a plurality of metal lines, wherein the backside power rails are extended in a cell-length direction, and at least one backside power rail vertically overlaps an inside area of at least one cell without vertically overlapping a lower boundary or an upper boundary of the at least one cell in a plan view.</description><language>eng ; kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240919&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20240136831A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240919&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20240136831A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>PARK PANJAE</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM JINTAE</creatorcontrib><title>semiconductor cell architecture including backside power rail</title><description>반도체 셀 아키텍처를 제공하되, 상기 반도체 셀 아키텍처는 다수의 셀들, 다수의 후면 파워 레일들, 및 다수의 금속 라인들을 포함하고, 상기 후면 파워 레일들은 셀 길이 방향으로 연장되고, 적어도 하나의 후면 파워 레일은, 평면적 관점에서 적어도 하나의 셀의 하부 경계 및 상부 경계와 수직으로 중첩되지 않고, 상기 적어도 하나의 셀의 내부 영역에 중첩된다. Provided is a semiconductor cell architecture which includes a plurality of cells, a plurality of backside power rails, and a plurality of metal lines, wherein the backside power rails are extended in a cell-length direction, and at least one backside power rail vertically overlaps an inside area of at least one cell without vertically overlapping a lower boundary or an upper boundary of the at least one cell in a plan view.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLAtTs3NTM7PSylNLskvUkhOzclRSCxKzsgsSU0uKS1KVcjMS84pTcnMS1dISkzOLs5MSVUoyC9PLVIoSszM4WFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8d5BRgZGJgaGxmYWxoaOxsSpAgA3ejGm</recordid><startdate>20240919</startdate><enddate>20240919</enddate><creator>PARK PANJAE</creator><creator>KIM JINTAE</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240919</creationdate><title>semiconductor cell architecture including backside power rail</title><author>PARK PANJAE ; KIM JINTAE</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20240136831A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; kor</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>PARK PANJAE</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM JINTAE</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>PARK PANJAE</au><au>KIM JINTAE</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>semiconductor cell architecture including backside power rail</title><date>2024-09-19</date><risdate>2024</risdate><abstract>반도체 셀 아키텍처를 제공하되, 상기 반도체 셀 아키텍처는 다수의 셀들, 다수의 후면 파워 레일들, 및 다수의 금속 라인들을 포함하고, 상기 후면 파워 레일들은 셀 길이 방향으로 연장되고, 적어도 하나의 후면 파워 레일은, 평면적 관점에서 적어도 하나의 셀의 하부 경계 및 상부 경계와 수직으로 중첩되지 않고, 상기 적어도 하나의 셀의 내부 영역에 중첩된다. Provided is a semiconductor cell architecture which includes a plurality of cells, a plurality of backside power rails, and a plurality of metal lines, wherein the backside power rails are extended in a cell-length direction, and at least one backside power rail vertically overlaps an inside area of at least one cell without vertically overlapping a lower boundary or an upper boundary of the at least one cell in a plan view.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; kor
recordid cdi_epo_espacenet_KR20240136831A
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title semiconductor cell architecture including backside power rail
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-04T21%3A27%3A42IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=PARK%20PANJAE&rft.date=2024-09-19&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EKR20240136831A%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true