SYSTEMS AND METHODS FOR ULTRAHIGH SELECTIVE NITRIDE ETCH

기판 상의 실리콘 나이트라이드 층을 선택적으로 에칭하기 위한 방법은 기판 프로세싱 챔버의 기판 지지부 상에 기판을 배치하는 단계를 포함한다. 기판 프로세싱 챔버는 상부 챔버 영역, 상부 챔버 영역의 외부에 배치된 유도 코일, 기판 지지부를 포함하는 하부 챔버 영역 및 가스 분산 디바이스를 포함한다. 가스 분산 디바이스는 상부 챔버 영역 및 하부 챔버 영역과 유체로 연통하는 복수의 홀들을 포함한다. 방법은 상부 챔버 영역에 에칭 가스 혼합물을 공급하는 단계 및 유도 코일에 전력을 공급함으로써 상부 챔버 영역 내에서 유도 결합 플라즈마를 스트라이킹하는 단계를 포함한다. 에칭 가스 혼합물은 실리콘 나이트라이드를 에칭하고, 실리콘 다이옥사이드 패시베이션을 촉진하고 폴리실리콘 패시베이션을 촉진한다. 방법은 기판 상의 실리콘 나이트라이드 층을 선택적으로 에칭하는 단계 및 미리 결정된 기간 후에 유도 결합 플라즈마를 소화하는 단계를 포함한다. A method for selectively etching a silicon nitride layer on a substrate includes arranging a substrate on a substrate support of a substrate processing chamber. The substrate processing chamber includes an upper chamber region, an inductive coil arranged outside of the upper chamber region, a lower chamber region including the substrate support and a gas dispersion device. The gas dispersion device includes a plurality of holes in fluid communication with the upper chamber region and the lower chamber region. The method includes supplying an etch gas mixture to the upper chamber region and striking inductively coupled plasma in the upper chamber region by supplying power to the inductive coil. The etch gas mixture etches silicon nitride, promotes silicon dioxide passivation and promotes polysilicon passivation. The method includes selectively etching the silicon nitride layer on the substrate and extinguishing the inductively coupled plasma after a predetermined period.