탄소 마스크 증착

부분적으로 에칭된 마스크를 두껍게 하기 위해 탄소 마스크를 증착하는 것에 관한 예가 개시된다. 일 예는 기판 상에 마스크 층을 형성하는 단계, 및 하나 이상의 에칭된 피처를 부분적으로 형성하기 위해 기판을 에칭하는 단계 - 기판의 에칭은은 또한 마스크 층의 에칭을 야기함 - 를 포함하는 방법을 제공한다. 방법은, 하나 이상의 에칭된 피처의 일부를 에칭한 후 그러나 하나 이상의 에칭된 피처의 에칭을 완료하기 전에, 플라즈마-강화 화학 기상 증착(PECVD)에 의해, 마스크 층 위에 탄소 마스크를 증착하는 단계를 더 포함한다. Examples are disclosed that relate to depositing a carbon mask to thicken a partially etched mask. One example provides a method comprising forming a mask layer on a substrate, and etching the substrate to partially form one or more etched features, the etching of the substrate also causing etching of the mask layer. The method further comprises, after etching a portion of the one or more etched features but before completing etching of the one or more etched features, depositing, by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), a carbon mask over the mask layer.