직접 원자층 증착 및/또는 에칭 방법

본 발명은 제1 전구체 유체를 사용하여, 기판 상에 종방향으로 연장되고 횡방향으로 제1 선폭을 갖는 제1 라인을 드로잉하는 단계와, 제2 전구체 유체를 사용하여, 기판 상에 종방향으로 연장되고 횡방향으로 제2 선폭을 갖는 제2 라인을 드로잉하는 단계를 포함하는 원자층 증착 및/또는 에칭 방법에 관한 것이다. 상기 제1 및 제2 라인은 상기 제1 선폭 및 상기 제2 선폭보다 작게 횡방향으로 부분적으로 중첩되거나, 및/또는 상기 제1 및 제2 선폭이 상기 제1 선폭 및 상기 제2 선폭보다 작게 횡방향으로 서로 이격되어, 횡방향의 가장 큰 폭이 상기 제1 선폭 및 상기 제2 선폭보다 작은 제1 돌출부가 형성되고, 및/또는 횡방향의 가장 큰 폭이 상기 제1 선폭 및 상기 제2 선폭보다 작은 제1 오목부가 형성된다. The disclosure relates to an atomic layer deposition method, comprising depositing a first layer of a first material at a selective first area of a substrate, and depositing a second layer of a second material at a selective second area of the substrate different from the first area. The first layer is deposited as a first line having a minimum first linewidth, and the second layer is deposited as a second line having a minimum second linewidth. The second layer is deposited partly on the first layer such that the first layer and the second layer partly overlap by a predetermined amount, or the first layer and the second layer are laterally spaced apart.