METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROGRAM

본 발명은, 기판 상에 형성되는 막의 스텝 커버리지를 향상시키는 것이 가능한 기술을 제공한다. (a1) 제1 개질 가스를 기판에 공급하는 공정과, (a2) 제1 원소를 갖는 제1 처리 가스를 상기 기판에 공급하는 공정과, (b1) 제2 개질 가스를 상기 기판에 공급하는 공정과, (b2) 제2 원소를 갖고, 동일 조건 하에서의 상기 제1 처리 가스보다 상기 기판의 개구부측에 흡착되기 쉬운 제2 처리 가스를 상기 기판에 공급하는 공정을 포함하고, (a1)과 (a2)를 제1 횟수 행하고, (b1)과 (b2)를 제2 횟수 행하여, 상기 제1 원소와 상기 제2 원소를 포함하는 막을 형성하는 공정을 갖고, (b1)은, 상기 제2 개질 가스가, 동일 조건 하에서의 상기 제1 개질 가스보다 상기 기판의 표면에 흡착되기 쉬운 조건에서 행해진다. There is provided a technique that includes: (a1) supplying a first modifying gas to a substrate; (a2) supplying a first process gas containing a first element to the substrate; (b1) supplying a second modifying gas to the substrate; and (b2) supplying a second process gas, which contains a second element and is more readily adsorbed on a surface of the substrate than the first process gas under a same condition, to the substrate, wherein (a1) and (a2) are performed a first number of times and (b1) and (b2) are performed a second number of times to form a film containing the first element and the second element, and wherein (b1) is performed under a condition in which the second modifying gas is more readily adsorbed on the surface of the substrate than the first modifying gas under a same condition.