Semiconductor Device

반도체 장치는, 기판 상의 주변 활성 패턴들; 상기 주변 활성 패턴들을 정의하는 제1 주변 트렌치 영역 및 제2 주변 트렌치 영역; 상기 제1 및 제2 주변 트렌치 영역들의 내벽들을 덮는 제1 분리 라이너; 상기 제1 및 제2 주변 트렌치 영역들 내에서 상기 제1 분리 라이너를 덮는 제2 분리 라이너; 및 상기 제2 분리 라이너 상에서 상기 제1 및 제2 주변 트렌치 영역들을 채우는 소자 분리막을 포함한다. 상기 소자 분리막은 상기 제2 주변 트렌치 영역 내에서 그 내부에 심(seam)을 포함한다. 상기 주변 활성 패턴들의 상면들이...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	KIM JINYEOUNG, JUNG HYEONOK, RYU SUNGYEON, CHOI SEI RYUNG, KIM SUNGEUN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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