Nonvolatile Memory Device And Operating Method of Nonvolatile Memory Device

본 발명의 기술적 사상은 비트라인과 공통 소스 라인 사이에 연결되는 복수의 셀 스트링들을 포함하고, 상기 복수의 셀 스트링들은 실리콘 기판과 수직한 방향으로 적층된 워드라인들을 관통하는 수직 홀들을 포함하고, 상기 복수의 셀 스트링들 각각은 복수의 메모리 셀들을 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법에 있어서, 상기 워드라인들에 워드라인 전압을 인가하는 단계; 상기 워드라인들을 각각 하나 이상의 워드라인을 포함하는 복수개의 영역으로 구분하는 단계; 및 상기 워드라인들의 전압을 리커버리하는 단계를 포함하되, 상기 워드라인들을 리커버리 하는 단계는, 상기 복수개의 영역 중 중앙 영역에 배치된 워드라인들의 전압부터 우선적으로 리커버리하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 동작방법을 제공한다. Provided is an operating method of a nonvolatile memory device including a plurality of cell strings, each cell string of the plurality of cell strings including a plurality of memory cells, connected between a bit line and a common source line, and vertical holes penetrating a plurality of word lines stacked in a direction perpendicular to a substrate, the operating method including applying a word line voltage to the plurality of word lines, classifying the plurality of word lines into a plurality of regions, each region of the plurality of regions including at least one of the word lines, and recovering voltages of the plurality of word lines by recovering voltages of word lines arranged in a central region among the plurality of regions before recovering voltages of word lines in other regions of the plurality of regions.