SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

반도체 공정 장치 및 이를 이용하는 반도체 소자 제조 방법을 제공한다. 이 반도체 소자 제조 방법은 반도체 웨이퍼에 제1 반도체 공정을 진행하고; 지지대, 분사 장치, 및 뒤틀림 측정 장치를 포함하는 반도체 공정 장치 내로 상기 제1 반도체 공정이 진행된 상기 반도체 웨이퍼를 로딩하고; 상기 뒤틀림 측정 장치를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼의 뒤틀림을 측정하면서 상기 뒤틀림 측정 장치에 의해 측정된 상기 반도체 웨이퍼의 뒤틀림 측정 값이 허용 범위 이내 일때까지 상기 반도체 웨이퍼의 상기 후면에 상기 분사 장치를 이용하여 뒤틀림 보상 패턴을 형성하고; 및 상기 뒤틀림 보상 패턴이 형성된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 반도체 공정 장치에서 언로딩하는 것을 포함한다. A method of manufacturing a semiconductor device includes: performing a first semiconductor process on a semiconductor wafer including a front side and a back side opposing the front side; loading the semiconductor wafer into a semiconductor processing apparatus including a support, a spraying apparatus, and a warpage measuring apparatus, wherein the semiconductor wafer is supported by the support, wherein the spraying apparatus is disposed below the semiconductor wafer, and the warpage measuring apparatus is an apparatus configured to measure warpage of the semiconductor wafer; forming a warpage compensation pattern on the back side of the semiconductor wafer using the spraying apparatus until a warpage measurement value of the semiconductor wafer is within a predetermined range, while measuring warpage of the semiconductor wafer using the warpage measuring apparatus; and unloading, from the semiconductor processing apparatus, the semiconductor wafer on which the warpage compensation pattern is formed.