V족 원소의 무기 실릴 및 폴리실릴 유도체 및 이의 합성 방법 및 증착을 위한 이의 사용 방법

V족 원소-함유 전구체 및 이의 합성 방법 및 필름 증착에서의 이의 사용 방법이 개시된다. 전구체는 (SiR3)3-mA(SiaH2a+1)m, (SiR3)3-n-pA(SiaH2a+1)n(SibH2b+1)p 또는 A(SiaH2a+1)(SibH2b+1)(SicH2c+1)이며, 여기서, a = 1 내지 6이고; b = 1 내지 6이고; c = 1 내지 6이고; a ≠ b ≠ c이고; m = 1 내지 3이고; n = 1 내지 2이고, p = 1 내지 2이고, n + p = 2 내지 3이고; A = As, P, Sb, Bi이고; R은 C1 내...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	ZHANG PENG, LI FENG, GIRARD JEAN MARC
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAININGELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN,SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL COMPOUNDS THEREOF DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL INORGANIC CHEMISTRY METALLURGY NON-METALLIC ELEMENTS ORGANIC CHEMISTRY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	V족 원소-함유 전구체 및 이의 합성 방법 및 필름 증착에서의 이의 사용 방법이 개시된다. 전구체는 (SiR3)3-mA(SiaH2a+1)m, (SiR3)3-n-pA(SiaH2a+1)n(SibH2b+1)p 또는 A(SiaH2a+1)(SibH2b+1)(SicH2c+1)이며, 여기서, a = 1 내지 6이고; b = 1 내지 6이고; c = 1 내지 6이고; a ≠ b ≠ c이고; m = 1 내지 3이고; n = 1 내지 2이고, p = 1 내지 2이고, n + p = 2 내지 3이고; A = As, P, Sb, Bi이고; R은 C1 내지 C10, 선형, 분지형 또는 환형 알킬, 알케닐, 알키닐 기로부터 선택된다. 합성 방법에는 할로(폴리)실란(들)과 A의 트리스(트리알킬실릴) 유도체 사이의 1단계, 2단계 또는 3단계 반응(들) 또는 2가지 또는 3가지의 할로(폴리)실란의 혼합물과 A의 트리스(트리알킬실릴) 유도체 사이의 원-포트(one-pot) 혼합 반응이 포함된다. 증착 방법에는 CVD, PECVD, ALD, PEALD, 유동성 CVD, HW-CVD, 에피택시(Epitaxy) 등이 포함된다. Disclosed are Group V element-containing precursors and methods of synthesizing the same and using the same on film depositions. The precursors are (SiR3)3- mA(SiaH2a+1)m, (SiR3)3- n-pA(SiaH2a+1)n(SibH2b+1)p or A(SiaH2a+1)(SibH2b+1)(SicH2c+1) wherein a 1 to 6; b = 1 to 6: c =1 to 6: a≠ b≠ c; m = 1 to 3; n = 1 to 2, p = 1 to 2, n + p = 2 to 3; A = As, P, Sb, Bi; and R is selected from a C1 to C10 linear, branched or cyclic alkyl, alkenyl, alky ny I group. The synthesis methods include one-step, two-step or three-step reaction(s) between halo(poly)silane(s) and a tris(trialkylsilyl) derivative of A or a one-pot mixing reaction between a mixture of two or three halo(poly)silanes and the tris(trialkylsilyl) derivative of A. The deposition methods include CVD, PECVD, ALD, PEALD, flowable CVD, HW-CVD, Epitaxy, or the like.