APPARATUS AND METHOD FOR WAFER OXIDE REMOVAL AND REFLOW TREATMENT

본 발명은 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 장치에 관한 것이며, 상기 장치는: 가열 판, 가열 판 위로 웨이퍼 샘플을 지지하기 위한 샘플 판, 및 샘플 판 위의 전자 부착 핀 판을 포함하며, 가열 판은 위 아래로 이동하며, 샘플 판을 접촉하고 가열할 수 있도록 구성된다. The present invention relates to an apparatus and method for wafer oxide removal and refl...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	ARSLANIAN GREGORY KHOSROV, PANG WENSHAN, ZHOU YUXIANG, QI LULU, YU XIANG, CHEN JIONG, WU LIANG, YU LEIJIAN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 웨이퍼 산화물 제거 및 리플로우 처리를 위한 장치에 관한 것이며, 상기 장치는: 가열 판, 가열 판 위로 웨이퍼 샘플을 지지하기 위한 샘플 판, 및 샘플 판 위의 전자 부착 핀 판을 포함하며, 가열 판은 위 아래로 이동하며, 샘플 판을 접촉하고 가열할 수 있도록 구성된다. The present invention relates to an apparatus and method for wafer oxide removal and reflow treatment. In particular, the present invention relates to an apparatus for wafer oxide removal and reflow treatment, comprising: a heating plate (1), a sample plate (2) for supporting a wafer sample above the heating plate (1), and an electron attachment pin plate (3) above the sample plate (2), wherein the heating plate (1) is configured to be capable of moving up and down, and contacting and heating the sample plate (2).