Semiconductor device and method for fabricating the same

기판; 상기 기판 상에 위치하는 실리콘-게르마늄 합금층; 상기 합금층 상에 위치하는 접합 보조층; 상기 접합 보조층 상에 위치하는 고유전물질층; 및 상기 고유전물질층 상에 위치하는 게이트 전극층;을 포함하고, 상기 실리콘-게르마늄 합금층 상에 측벽으로서 스페이서층을 더 포함하고, 상기 스페이서층은 상기 접합 보조층, 고유전물질층 및 게이트 전극층을 사이에 두고 양 측면에 측벽으로서 존재하고, 상기 스페이서층은, 상기 기판과 수직한 방향을 가지면서, 상기 접합 보조층, 고유전물질층 및 게이트 전극층과 인접하고 있는 제1 오프셋 스페이서; 상기 기판과 수직한 방향 및 수평인 방향을 모두 가지면서, 상기 제1 오프셋 스페이서와 인접하고 있는 제2 오프셋 스페이서; 상기 기판과 수직한 방향 및 수평인 방향을 모두 가지면서, 상기 제2 오프셋 스페이서와 인접하고 있는 제3 오프셋 스페이서; 및 상기 기판과 수직한 방향을 가지면서, 상기 제3 오프셋 스페이서와 인접하고 있는 제4 스페이서를 포함하고, 상기 제1 오프셋 스페이서, 제2 오프셋 스페이서, 제3 오프셋 스페이서 및 제4 스페이서 중 적어도 하나 이상은 반드시 알루미늄 산화물을 포함하는 반도체 장치 및 이의 형성방법이 제공된다.