SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND APPARATUS
본 발명은 패턴이 형성된 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은, 제1공정 가스로부터 여기되는 제1플라즈마를 이용하여 상기 패턴의 상부에 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계; 및 상기 보호막 형성 단계 이후에 수행되며, 상기 기판으로 상기 제1공정 가스와 상이한 제2공정 가스로부터 여기되는 제2플라즈마를 이용하여 상기 기판을 식각하는 식각 단계를 포함할 수 있다. The present invention provides a method for processing a substrate having a pattern. The...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| creator | PARK SANG JONG TRUONG THI VU NU PARK JIN WOO |
| description | 본 발명은 패턴이 형성된 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은, 제1공정 가스로부터 여기되는 제1플라즈마를 이용하여 상기 패턴의 상부에 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계; 및 상기 보호막 형성 단계 이후에 수행되며, 상기 기판으로 상기 제1공정 가스와 상이한 제2공정 가스로부터 여기되는 제2플라즈마를 이용하여 상기 기판을 식각하는 식각 단계를 포함할 수 있다.
The present invention provides a method for processing a substrate having a pattern. The substrate processing method may comprise: a protection film formation step for forming a protection film on top of the pattern by using first plasma excited from a first process gas; and an etching step which is performed after the protection film formation step, and in which the substrate is etched using, on the substrate, second plasma excited from a second process gas that is different from the first process gas. |
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The present invention provides a method for processing a substrate having a pattern. The substrate processing method may comprise: a protection film formation step for forming a protection film on top of the pattern by using first plasma excited from a first process gas; and an etching step which is performed after the protection film formation step, and in which the substrate is etched using, on the substrate, second plasma excited from a second process gas that is different from the first process gas.</description><language>eng ; kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240826&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240128194A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,778,883,25553,76306</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240826&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240128194A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>PARK SANG JONG</creatorcontrib><creatorcontrib>TRUONG THI VU NU</creatorcontrib><creatorcontrib>PARK JIN WOO</creatorcontrib><title>SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND APPARATUS</title><description>본 발명은 패턴이 형성된 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은, 제1공정 가스로부터 여기되는 제1플라즈마를 이용하여 상기 패턴의 상부에 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계; 및 상기 보호막 형성 단계 이후에 수행되며, 상기 기판으로 상기 제1공정 가스와 상이한 제2공정 가스로부터 여기되는 제2플라즈마를 이용하여 상기 기판을 식각하는 식각 단계를 포함할 수 있다.
The present invention provides a method for processing a substrate having a pattern. The substrate processing method may comprise: a protection film formation step for forming a protection film on top of the pattern by using first plasma excited from a first process gas; and an etching step which is performed after the protection film formation step, and in which the substrate is etched using, on the substrate, second plasma excited from a second process gas that is different from the first process gas.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZNAMDnUKDglyDHFVCAjyd3YNDvb0c1fwdQ3x8HdRcPQD4oAAR6B0aDAPA2taYk5xKi-U5mZQdnMNcfbQTS3Ij08tLkhMTs1LLYn3DjIyMDIxMDSyMLQ0cTQmThUA1ZMlbQ</recordid><startdate>20240826</startdate><enddate>20240826</enddate><creator>PARK SANG JONG</creator><creator>TRUONG THI VU NU</creator><creator>PARK JIN WOO</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240826</creationdate><title>SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND APPARATUS</title><author>PARK SANG JONG ; TRUONG THI VU NU ; PARK JIN WOO</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20240128194A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; kor</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>PARK SANG JONG</creatorcontrib><creatorcontrib>TRUONG THI VU NU</creatorcontrib><creatorcontrib>PARK JIN WOO</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>PARK SANG JONG</au><au>TRUONG THI VU NU</au><au>PARK JIN WOO</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND APPARATUS</title><date>2024-08-26</date><risdate>2024</risdate><abstract>본 발명은 패턴이 형성된 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은, 제1공정 가스로부터 여기되는 제1플라즈마를 이용하여 상기 패턴의 상부에 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계; 및 상기 보호막 형성 단계 이후에 수행되며, 상기 기판으로 상기 제1공정 가스와 상이한 제2공정 가스로부터 여기되는 제2플라즈마를 이용하여 상기 기판을 식각하는 식각 단계를 포함할 수 있다.
The present invention provides a method for processing a substrate having a pattern. The substrate processing method may comprise: a protection film formation step for forming a protection film on top of the pattern by using first plasma excited from a first process gas; and an etching step which is performed after the protection film formation step, and in which the substrate is etched using, on the substrate, second plasma excited from a second process gas that is different from the first process gas.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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