SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND APPARATUS

본 발명은 패턴이 형성된 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은, 제1공정 가스로부터 여기되는 제1플라즈마를 이용하여 상기 패턴의 상부에 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계; 및 상기 보호막 형성 단계 이후에 수행되며, 상기 기판으로 상기 제1공정 가스와 상이한 제2공정 가스로부터 여기되는 제2플라즈마를 이용하여 상기 기판을 식각하는 식각 단계를 포함할 수 있다. The present invention provides a method for processing a substrate having a pattern. The substrate processing method may comprise: a protection film formation step for forming a protection film on top of the pattern by using first plasma excited from a first process gas; and an etching step which is performed after the protection film formation step, and in which the substrate is etched using, on the substrate, second plasma excited from a second process gas that is different from the first process gas.