3 METHOD FOR MANUFACTURING GROUP 3 NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE USING DOUBLE SEED LAYER

본 발명은 이중 시드층을 이용한 그룹3족 질화물 반도체 템플릿의 제조 방법에 관한 것으로, 성장기판 위에 제1 시드층을 형성시키는 단계; 상기 제1 시드층을 열처리하는 단계; 열처리된 상기 제1 시드층의 표면을 평탄화하는 단계; 평탄화된 상기 제1 시드층 위에 제2 시드층을 성장시키는 단계; 및 상기 제2 시드층 위에 스트레스 완화층을 성장시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 이중 시드층을 통해 고품질의 그룹3족 질화물 전력반도체 소자층이 성장됨으로써 수직 누설전류가 최소화될 수 있으므로, 전력반도체 소자의 신뢰성이 획기적으로 개선될 수 있는 효과가 있다. The present invention relates to a method for manufacturing a Group 3 nitride semiconductor template using a double seed layer, in which a high-quality Group 3 nitride power semiconductor device layer is grown through a double seed layer comprising a first seed layer formed ex-situ at a low temperature and a second seed layer formed in-situ at a high temperature, so that a vertical leakage current can be minimized.