SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 장치는, 기판 상에 형성된 비트 라인; 상기 비트 라인 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극의 일 측벽에 형성된 게이트 절연 패턴; 상기 비트 라인의 상면 및 상기 게이트 절연 패턴의 일 측벽에 접촉하며, 스피넬(spinel) IGZO를 포함하는 제1 채널; 및 상기 제1 채널의 상면에 접촉하는 콘택 플러그를 포함할 수 있다. The semiconductor device may include a bit line on a substrate, a gate electrode on the bit line, a gate insulation pattern on a sidewall of the gate electrode, a first channel contacting an upper surface of the bit line and the sidewall of the gate insulation pattern and a contact plug contacting an upper surface of the first channel. The first channel may include a spinel IGZO.