SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

본 기술은 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 제조방법을 포함한다. 반도체 메모리 장치는 제1 방향으로 서로 이격되어 적층된 복수의 도전막들, 상기 복수의 도전막들을 관통하도록 상기 제1 방향으로 연장된 채널홀, 상기 채널홀의 측벽을 따라 서로 이격되어 배치된 두 개 이상의 채널패턴들, 및 상기 두 개 이상의 채널패턴들의 외측을 따라 서로 이격되어 배치된 두 개 이상의 메모리 패턴들을 포함한다. There are provided a semiconductor memory device and a manufacturing method of a semiconductor memory device. The semiconductor memory device includes: a plurality of conductive layers stacked to be spaced apart from each other in a first direction; a channel hole extending in the first direction to penetrate the plurality of conductive layers; two or more channel patterns disposed to be spaced apart from each other along a sidewall of the channel hole; and two or more memory patterns disposed to be spaced apart from each other between the sidewall of the channel hole and the two or more channel patterns, respectively.