Nonvolatile memory device and method of controlling the same

비휘발성 메모리 장치는, 스위칭 소스 전압을 생성하는 전압 생성기, 복수의 고전압 스위치 회로들, 도전 경로, 복수의 고전압 스위치들 및 제어 회로를 포함한다. 상기 복수의 고전압 스위치 회로들은, 복수의 스위칭 그룹들로 그룹화되고, 상기 스위칭 소스 전압에 기초하여 복수의 스위치 제어 신호들을 생성한다. 상기 도전 경로는, 상기 전압 생성기로부터 상기 복수의 고전압 스위치 회로들로 상기 스위칭 소스 전압을 전달한다. 상기 복수의 고전압 스위치들은, 상기 복수의 스위치 제어 신호들에 기초하여 고전압들을 전달한다. 상기 제어 회로는, 상기 복수의 스위치 제어 신호들의 천이 시점들을 상기 복수의 스위칭 그룹들의 각각에 대해 독립적으로 제어한다. 고전압 스위치 회로들의 스위칭 그룹별 독립적인 동작 제어를 통하여 스위칭 소스 전압을 전달하는 도전 경로 상의 피크 전류를 감소함으로써 비휘발성 메모리 장치의 오동작을 방지할 수 있다. The present disclosure provides nonvolatile memory devices including high-voltage switch circuits and methods of controlling the same. In some embodiments, a nonvolatile memory device includes a voltage generator configured to generate a switching source voltage, a plurality of high-voltage switch circuits grouped into a plurality of switching groups and configured to generate a plurality of switch control signals based on the switching source voltage, a conductive path configured to transfer the switching source voltage from the voltage generator to the plurality of high-voltage switch circuits, a plurality of high-voltage switches configured to transfer high voltages based on the plurality of switch control signals, and a control circuit configured to control transition timing of the plurality of switch control signals independently with respect to each of the plurality of switching groups.