Slurry composition for chemical mechanical polishing

실시예에 따른 화학기계적 연마용 슬러리 조성물은, 금속 산화물(metal oxide), 금속 질화물(metal nitride), 금속 산질화물(metal oxynitride) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 연마 입자; 용매; 및 폴리올(polyol);을 포함하고, 상기 폴리올은 0.01 내지 500 mM의 농도인 것을 특징으로 한다. 실시예에 따른 화학기계적 연마용 슬러리 조성물은, 질화 티타늄 박막의 연마율 제어를 통해 보론 실리콘 합금 박막, 질화 티타늄 박막, 질화 실리콘 박막 간의 연마 고선택비를 달성할 수 있다. A sl...

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Hauptverfasser: TAE SEUP SONG, CHEOL MIN SHIN, HYUN GOO KANG, HO JIN JEONG, UN GYU PAIK
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:실시예에 따른 화학기계적 연마용 슬러리 조성물은, 금속 산화물(metal oxide), 금속 질화물(metal nitride), 금속 산질화물(metal oxynitride) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 연마 입자; 용매; 및 폴리올(polyol);을 포함하고, 상기 폴리올은 0.01 내지 500 mM의 농도인 것을 특징으로 한다. 실시예에 따른 화학기계적 연마용 슬러리 조성물은, 질화 티타늄 박막의 연마율 제어를 통해 보론 실리콘 합금 박막, 질화 티타늄 박막, 질화 실리콘 박막 간의 연마 고선택비를 달성할 수 있다. A slurry composition may include an abrasive, a solvent, and polyol. The abrasive may include any one of metal oxide, metal nitride, metal oxynitride, and a combination thereof. The polyol may have about 0.01 mM to about 500 mM of a concentration. Thus, high polishing selectivities may be provided between a B-Si layer, a TiN layer and a SiN layer by controlling a polishing rate of the TIN layer.