ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS

원자층 증착 장치는 복수개의 소스 가스들을 공급하는 소스 가스 공급부, 상기 소스 가스 공급부에 연결된 소스 가스 공급 모듈, 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부, 상기 반응 가스 공급부에 연결되고, 상기 소스 가스 공급 모듈과 이격된 반응 가스 공급 모듈, 및 상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 사이에 배치된 제1 퍼지 가스 공급 모듈을 포함할 수 있다. An atomic layer deposition apparatus includes a source gas supply part that supplies...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BAE CHULMIN, SEO JAEHEE, JEON WOO SEOK
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	원자층 증착 장치는 복수개의 소스 가스들을 공급하는 소스 가스 공급부, 상기 소스 가스 공급부에 연결된 소스 가스 공급 모듈, 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부, 상기 반응 가스 공급부에 연결되고, 상기 소스 가스 공급 모듈과 이격된 반응 가스 공급 모듈, 및 상기 소스 가스 공급 모듈 및 상기 반응 가스 공급 모듈 사이에 배치된 제1 퍼지 가스 공급 모듈을 포함할 수 있다. An atomic layer deposition apparatus includes a source gas supply part that supplies multiple source gases, a source gas supply module connected to the source gas supply part, a reaction gas supply part that supplies a reaction gas, a reaction gas supply module connected to the reaction gas supply part and spaced apart from the source gas supply module in a first direction, and a first purge gas supply module disposed between the source gas supply module and the reaction gas supply module.