SHOWERHEAD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS COMPRISING THE SAME

샤워헤드 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 플라즈마 처리 장치는 공정이 수행되는 챔버, 챔버 내에, 기판을 지지하는 지지부, 챔버 내에, 소스 가스를 기초로, 플라즈마가 생성되는 제1 플라즈마 영역, 제1 플라즈마 영역 아래에, 지지부가 배치되는 제2 플라즈마 영역, 제1 플라즈마 영역과 제2 플라즈마 영역 사이에 배치되는 샤워헤드, 샤워헤드를 통해 제2 플라즈마 영역에 제1 공정 가스를 주입하는 제1 가스 공급부, 및 샤워헤드를 통해 제2 플라즈마 영역에 제2 공정 가스를 주입하는 제2 가스 공급부를 포함하고, 샤워헤드는 제1 플라즈마 영역에 생성된 플라즈마 중 일부를 통과시키는 플라즈마 관통부와, 제1 공정 가스를 샤워헤드의 제1 영역으로 유입하고 제1 가스 공급부와 연결된 제1 가스 유로와, 제2 공정 가스를 제1 영역을 둘러싸는 샤워헤드의 제2 영역으로 유입하고 제2 가스 공급부와 연결된 제2 가스 유로와, 제1 가스 유로와 연결되고 제1 공정 가스가 확산되는 제1 공동부와, 제2 가스 유로와 연결되고 제2 공정 가스가 확산되는 제2 공동부와, 제1 공동부와 연결되고 제2 플라즈마 영역을 향해 형성된 제1 가스 분사구와, 제2 공동부와 연결되고 상기 제2 플라즈마 영역을 향해 형성된 제2 가스 분사구를 포함한다. A semiconductor manufacturing device comprising a support unit in a chamber. A showerhead disposed between first and second plasma regions. First and second gas supply units injecting first and second process gases, respectively, into the second plasma region through the showerhead. The showerhead includes plasma penetration portions passing a portion of the plasma generated in the first plasma region therethrough. First gas flow paths injecting the first process gas into a first zone of the showerhead. Second gas flow paths injecting the second process gas into a second zone of the showerhead that surrounds the first zone. First and second cavities connected to the first and second gas flow paths, respectively. The first and second cavities diffusing the first and second process gases, respectively. First and second gas spraying holes connected to the first and second cavities, respectively, and facing the second plasma region.