본딩 와이어 및 반도체 장치

본 발명의 본딩 와이어는, In의 함유량이 0.005 질량% 이상 2.0 질량% 이하, Au 및 Pd에서 선택된 1종 또는 2종의 원소의 함유량의 합계가 0.005 질량% 이상 2.0 질량% 이하, Bi 및 Cu에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 원소의 함유량의 합계가 5 질량ppm 이상 500 질량ppm 이하, Ca, Mg, Ge, Y, Nd, Sm, Gd, La 및 Ce로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 원소의 함유량의 합계가 0 질량ppm 이상 500 질량ppm 이하이고, 잔부가 Ag를 포함하는 것이다. 이에...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	TAKIGAWA TAMAMI, TANAHASHI AKIRA
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	ALLOYS BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS MACHINE TOOLS METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR METALLURGY PERFORMING OPERATIONS SEMICONDUCTOR DEVICES SOLDERING OR UNSOLDERING TRANSPORTING TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS WELDING WORKING BY LASER BEAM
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명의 본딩 와이어는, In의 함유량이 0.005 질량% 이상 2.0 질량% 이하, Au 및 Pd에서 선택된 1종 또는 2종의 원소의 함유량의 합계가 0.005 질량% 이상 2.0 질량% 이하, Bi 및 Cu에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 원소의 함유량의 합계가 5 질량ppm 이상 500 질량ppm 이하, Ca, Mg, Ge, Y, Nd, Sm, Gd, La 및 Ce로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 원소의 함유량의 합계가 0 질량ppm 이상 500 질량ppm 이하이고, 잔부가 Ag를 포함하는 것이다. 이에 의해, 장기 신뢰성이 우수하고, FAB를 전극에 접촉시켜 찌부러뜨렸을 때의 형상을 양호한 원형으로 할 수 있다. This bonding wire contains 0.005-2.0 mass% of In, a total of 0.005-2.0 mass% one or both of Au and Pd, a total of 5-500 ppm by mass of one or both elements selected from Bi and Cu, and a total of 0-500 ppm by mass of one or more elements selected from the group consisting of Ca, Mg, Ge, Y, Nd, Sm, Gd, La and Ce, with the remainder comprising Ag. Due to this configuration, it is possible to achieve excellent long-term reliability and achieve a good circular shape when a FAB is brought into contact with an electrode and crushed.