반도체 장치, 전자 기기 및 웨이퍼

접속 패드끼리의 중첩이 크게 어긋나는 것이 억제된 반도체 장치를 제공한다. 반도체 장치는, 2층의 반도체층과, 반도체층끼리의 사이에 개재되고, 각각이, 절연막에 마련된 조이며, 접속 패드, 배선 및 접속 패드를 배선에 접속하고 있는 비아를 포함하는 당해 조를 복수 포함하고, 접속 패드의 접합면끼리를 접합함으로써 서로 전기적으로 접속된, 적층 방향 일방측의 배선층 및 적층 방향 타방측의 배선층을 구비하고, 적층 방향 일방측의 배선층의 모든 조는, 평면에서 볼 때, 접속 패드의 중심이, 비아의 중심으로부터 제1 방향으로 제1 거리 이격된 위치에 있다. Provided is a semiconductor device capable of suppressing significant deviation of mutual superposition of connection pads. This semiconductor device comprises: two semiconductor layers; and a wiring layer on one side in a laminating direction and a wiring layer on the other side in the laminating direction, that are interposed between the semiconductor layers, that each include a plurality of sets being provided to an insulating layer and each including a connection pad, wiring, and a via for connecting the connection pad and the wiring, and that are electrically connected to each other by joining joint surfaces of the connection pads. All the sets in the wiring layer on one side in the laminating direction are positioned such that the center of each of the connection pads is away from the center of the corresponding via by a first distance in a first direction in a plan view.