패키지 기판들의 전기적, 기계적 및 열적 특성들의 적응

본 개시내용은 반도체 코어 조립체들 및 그 반도체 코어 조립체들을 형성하는 방법들에 관한 것이다. 본 명세서에서 설명되는 반도체 코어 조립체들은 반도체 패키지 조립체들, PCB(printed circuit board) 조립체들, PCB 스페이서 조립체들, 칩 캐리어 조립체들, (예컨대, 그래픽 카드들을 위한) 중간 캐리어 조립체들 등을 형성하는 데 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 원하는 벌크 저항률 또는 전도율을 달성하도록 기판 코어(예컨대, 코어 구조)에 도펀트들이 주입된다. 하나 이상의 전도성 상호 연결부들이 기판 코어에 형성되고, 하나 이상의 재분배 층들이 기판 코어의 표면들 상에 형성된다. 그 후, 기판 코어는 반도체 패키지, PCB, PCB 스페이서, 칩 캐리어, 중간 캐리어 등에 대한 코어 구조로서 이용될 수 있다. The present disclosure relates to semiconductor core assemblies and methods of forming the same. The semiconductor core assemblies described herein may be utilized to form semiconductor package assemblies, printed circuit board (PCB) assemblies, PCB spacer assemblies, chip carrier assemblies, intermediate carrier assemblies (e.g., for graphics cards), and the like. In one embodiment, a substrate core (e.g., a core structure) is implanted with dopants to achieve a desired bulk resistivity or conductivity. One or more conductive interconnections are formed in the substrate core and one or more redistribution layers are formed on surfaces thereof. The substrate core may thereafter be utilized as a core structure for a semiconductor package, PCB, PCB spacer, chip carrier, intermediate carrier, or the like.