경화성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 촬상 장치, 반도체 장치, 적층체의 제조 방법 및 접합 전극을 갖는 소자의 제조 방법

본 발명은, 두께가 있는 막으로 한 경우에도 질소 분위기하의 고온에서 막 균열이 발생하기 어려운 경화성 수지 조성물, 그 경화성 수지 조성물을 사용한 경화막, 그 경화막을 갖는 적층체, 그 적층체를 갖는 촬상 장치 및 반도체 장치, 그 적층체의 제조 방법 및 그 적층체의 제조에 사용하는 접합 전극을 갖는 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 폴리이미드와 실세스퀴옥산을 포함하고, 상기 폴리이미드의 함유량이, 상기 실세스퀴옥산 100 중량부에 대해 0.5 중량부 이상 50 중량부 이하인, 경화성 수지 조성물이다. The present invention aims to provide a curable resin composition capable of forming a film which, even when made thick, is less likely to crack at high temperature under a nitrogen atmosphere, a cured film formed using the curable resin composition, a stack including the cured film, an imaging device including the stack, an semiconductor device including the stack, a method for producing the stack, and a method for producing an element including a bonding electrode for use in production of the stack. Provided is a curable resin composition containing: a polyimide; and a silsesquioxane, the polyimide being contained in an amount of 0.5 parts by weight or more and 50 parts by weight or less relative to 100 parts by weight of the silsesquioxane.