Apparatus and method for Thin film deposition

본 발명은 박막 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소스 가스의 기상 반응을 방지하여 파티클 발생을 줄이는 박막 증착 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 장치는 소스 가스를 분사하는 소스 가스 분사부; 상기 소스 가스 분사부에 이격되어 배치되어 반응 가스를 분사하는 반응 가스 분사부; 상기 소스 가스 분사부와 상기 반응 가스 분사부 사이에 배치되어, 상기 소스 가스와 상기 반응 가스를 분리시키는 분리 가스를 분사하는 분리 가스 분사부; 상기 분리 가스 분사부, 소스 가스 분사부 및 반응...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	JEONG HONG KI, KIM JI WAN, JUNG DONG HWA, YOO HYEONG SUK
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 박막 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소스 가스의 기상 반응을 방지하여 파티클 발생을 줄이는 박막 증착 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 장치는 소스 가스를 분사하는 소스 가스 분사부; 상기 소스 가스 분사부에 이격되어 배치되어 반응 가스를 분사하는 반응 가스 분사부; 상기 소스 가스 분사부와 상기 반응 가스 분사부 사이에 배치되어, 상기 소스 가스와 상기 반응 가스를 분리시키는 분리 가스를 분사하는 분리 가스 분사부; 상기 분리 가스 분사부, 소스 가스 분사부 및 반응 가스 분사부 사이에 각각 배치되어, 상기 소스 가스, 반응 가스 및 분리 가스 중 적어도 하나를 포함하는 배기 가스를 배기시키는 배기부; 상기 배기부에 연결되어, 상기 배기 가스의 분압을 측정하여 모니터링하는 가스 분석부; 및 상기 배기 가스의 분압에 따라 상기 소스 가스 분사부, 반응 가스 분사부, 및 분리 가스 분사부 중 적어도 어느 하나를 제어하는 제어부;를 포함할 수 있다.